Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6484HE3/97

KEY Part #: K6457833

1N6484HE3/97 මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [704650pcs තොගය]

  • 1 pcs$0.05249
  • 10,000 pcs$0.04757

කොටස් අංකය:
1N6484HE3/97
නිෂ්පාදක:
Vishay Semiconductor Diodes Division
විස්තරාත්මක සටහන:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: තයිරිස්ටර - SCRs - මොඩියුල, ඩයෝඩ - ආර්එෆ්, බල ධාවක මොඩියුල, ට්‍රාන්සිස්ටර - බයිපෝලර් (BJT) - RF, ට්‍රාන්සිස්ටර - බයිපෝලර් (BJT) - අරා, ට්‍රාන්සිස්ටර - වැඩසටහන්ගත කළ හැකි ඒකාබද්ධ කිරීම, Thyristors - DIACs, SIDACs and ඩයෝඩ - සීනර් - අරා ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6484HE3/97 electronic components. 1N6484HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6484HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6484HE3/97 නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : 1N6484HE3/97
නිෂ්පාදක : Vishay Semiconductor Diodes Division
විස්තර : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
මාලාවක් : SUPERECTIFIER®
කොටස තත්වය : Active
දියෝඩ වර්ගය : Standard
වෝල්ටීයතාව - DC ප්‍රතිලෝම (Vr) (උපරිම) : 1000V
වත්මන් - සාමාන්‍ය නිවැරදි කරන ලද (අයෝ) : 1A
වෝල්ටීයතාව - ඉදිරියට (Vf) (උපරිම) @ නම් : 1.1V @ 1A
වේගය : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ප්‍රතිලෝම ප්‍රතිසාධන කාලය (trr) : -
ධාරාව - ප්‍රතිලෝම කාන්දු වීම @ Vr : 10µA @ 1000V
ධාරිතාව @ Vr, F. : 8pF @ 4V, 1MHz
සවි කරන වර්ගය : Surface Mount
පැකේජය / නඩුව : DO-213AB, MELF (Glass)
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : DO-213AB
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය - හන්දිය : -65°C ~ 175°C

ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns