නිෂ්පාදක :
GeneSiC Semiconductor
විස්තර :
DIODE GEN PURP 200V 100A D-67
වෝල්ටීයතාව - DC ප්රතිලෝම (Vr) (උපරිම) :
200V
වත්මන් - සාමාන්ය නිවැරදි කරන ලද (අයෝ) :
100A
වෝල්ටීයතාව - ඉදිරියට (Vf) (උපරිම) @ නම් :
1.3V @ 100A
වේගය :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ප්රතිලෝම ප්රතිසාධන කාලය (trr) :
75ns
ධාරාව - ප්රතිලෝම කාන්දු වීම @ Vr :
25µA @ 50V
සවි කරන වර්ගය :
Chassis Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
D-67
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය - හන්දිය :
-