කොටස් අංකය :
GA50JT17-247
නිෂ්පාදක :
GeneSiC Semiconductor
විස්තර :
TRANS SJT 1.7KV 100A
තාක්ෂණ :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
1700V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
100A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
-
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
-
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
-
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
583W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
TO-247