කොටස් අංකය :
IPD031N06L3GATMA1
නිෂ්පාදක :
Infineon Technologies
විස්තර :
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
60V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
100A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
2.2V @ 93µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
79nC @ 4.5V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
13000pF @ 30V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
167W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
PG-TO252-3
පැකේජය / නඩුව :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63