ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6BLA2-TR

KEY Part #: K936862

IS46R16160D-6BLA2-TR මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [15267pcs තොගය]

  • 1 pcs$3.59076
  • 2,500 pcs$3.57289

කොටස් අංකය:
IS46R16160D-6BLA2-TR
නිෂ්පාදක:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
විස්තරාත්මක සටහන:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256Mb, 2.5V, 166MHz 64M x 8 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: තර්කනය - කවුන්ටර, බෙදුම්කරුවන්, රේඛීය - ඇම්ප්ලිෆයර් - උපකරණ, ඕපී ඇම්ප්ස්, බෆර් ඇම්, PMIC - බලශක්ති මැනීම, තර්කනය - සංසන්දකයන්, කාවැද්දූ - සීපීඑල්ඩී (සංකීර්ණ වැඩසටහන්ගත කළ හැකි ත, ශ්‍රව්‍ය විශේෂ අරමුණ, ඔරලෝසුව / වේලාව - IC බැටරි and අතුරුමුහුණත - සං al ා බෆර්, රිපීටර්, ස්ප්ලිටර් ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6BLA2-TR electronic components. IS46R16160D-6BLA2-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160D-6BLA2-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-6BLA2-TR නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : IS46R16160D-6BLA2-TR
නිෂ්පාදක : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
විස්තර : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
මාලාවක් : -
කොටස තත්වය : Active
මතක වර්ගය : Volatile
මතක ආකෘතිය : DRAM
තාක්ෂණ : SDRAM - DDR
මතක ප්‍රමාණය : 256Mb (16M x 16)
ඔරලෝසු සංඛ්‍යාතය : 166MHz
චක්‍රීය වේලාව ලියන්න - වචනය, පිටුව : 15ns
ප්‍රවේශවීමේ වේලාව : 700ps
මතක අතුරුමුහුණත : Parallel
වෝල්ටීයතාව - සැපයුම : 2.3V ~ 2.7V
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -40°C ~ 105°C (TA)
සවි කරන වර්ගය : Surface Mount
පැකේජය / නඩුව : 60-TFBGA
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : 60-TFBGA (8x13)

නවතම ප්රවෘත්ති

ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16