කොටස් අංකය :
IPI120N06S4H1AKSA2
නිෂ්පාදක :
Infineon Technologies
විස්තර :
MOSFET N-CH TO262-3
මාලාවක් :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
60V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
120A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 200µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
270nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
21900pF @ 25V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
250W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
PG-TO262-3-1
පැකේජය / නඩුව :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA