කොටස් අංකය :
SI4894BDY-T1-GE3
නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
30V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
8.9A (Ta)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
3V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
38nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
1580pF @ 15V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
1.4W (Ta)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
8-SO
පැකේජය / නඩුව :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)