කොටස් අංකය :
SI5858DU-T1-GE3
නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
20V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
6A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
1V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
16nC @ 8V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
520pF @ 10V
FET විශේෂාංගය :
Schottky Diode (Isolated)
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
PowerPAK® ChipFet Dual
පැකේජය / නඩුව :
PowerPAK® ChipFET™ Dual