කොටස් අංකය :
GPP100MS-E3/54
නිෂ්පාදක :
Vishay Semiconductor Diodes Division
විස්තර :
DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
වෝල්ටීයතාව - DC ප්රතිලෝම (Vr) (උපරිම) :
1000V
වත්මන් - සාමාන්ය නිවැරදි කරන ලද (අයෝ) :
10A
වෝල්ටීයතාව - ඉදිරියට (Vf) (උපරිම) @ නම් :
1.05V @ 10A
වේගය :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ප්රතිලෝම ප්රතිසාධන කාලය (trr) :
5.5µs
ධාරාව - ප්රතිලෝම කාන්දු වීම @ Vr :
5µA @ 1000V
ධාරිතාව @ Vr, F. :
110pF @ 4V, 1MHz
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
පැකේජය / නඩුව :
P600, Axial
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
P600
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය - හන්දිය :
-55°C ~ 175°C