කොටස් අංකය :
GA20SICP12-247
නිෂ්පාදක :
GeneSiC Semiconductor
විස්තර :
TRANS SJT 1200V 45A TO247
තාක්ෂණ :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
1200V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
45A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 20A
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
-
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
-
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
3091pF @ 800V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
282W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
TO-247AB