ඔබේ ස්ථානය ලැයිස්තුගත කර නොමැති නම්, කරුණාකර පහත සඳහන් දේවලින් එකක් තෝරන්න:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ඔබේ ස්ථානය ලැයිස්තුගත කර නොමැති නම්, කරුණාකර පහත සඳහන් දේවලින් එකක් තෝරන්න:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ගෙදර
  2. නිෂ්පාදන
  3. ඒකාබද්ධ පරිපථ (IC)
  4. මතකය
  5. TC58BVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG1S3HBAI4

KEY Part #: K938201

TC58BVG1S3HBAI4 මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [19544pcs තොගය]

  • 1 pcs$2.34452
කොටස් අංකය:
TC58BVG1S3HBAI4
නිෂ්පාදක:
Toshiba Memory America, Inc.
විස්තරාත්මක සටහන:
2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: ඔරලෝසුව / වේලාව - IC බැටරි, PMIC - මෝටර් රියදුරන්, පාලකයන්, විශේෂිත ICs, කාවැද්දූ - ක්ෂුද්‍ර පාලක, රේඛීය - ඇම්ප්ලිෆයර් - උපකරණ, ඕපී ඇම්ප්ස්, බෆර් ඇම්, PMIC - PFC (බල සාධක නිවැරදි කිරීම), PMIC - වෝල්ටීයතා නියාමකයින් - DC DC මාරු කිරීමේ නි and තර්කනය - සං al ා ස්විච, බහුකාර්ය, විකේතක ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG1S3HBAI4 electronic components. TC58BVG1S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG1S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG1S3HBAI4 නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : TC58BVG1S3HBAI4
නිෂ්පාදක : Toshiba Memory America, Inc.
විස්තර : 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
මාලාවක් : Benand™
කොටස තත්වය : Active
මතක වර්ගය : Non-Volatile
මතක ආකෘතිය : FLASH
තාක්ෂණ : FLASH - NAND (SLC)
මතක ප්‍රමාණය : 2Gb (256M x 8)
ඔරලෝසු සංඛ්‍යාතය : -
චක්‍රීය වේලාව ලියන්න - වචනය, පිටුව : 25ns
ප්‍රවේශවීමේ වේලාව : -
මතක අතුරුමුහුණත : -
වෝල්ටීයතාව - සැපයුම : 2.7V ~ 3.6V
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -40°C ~ 85°C (TA)
සවි කරන වර්ගය : Surface Mount
පැකේජය / නඩුව : 63-VFBGA
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : 63-TFBGA (9x11)

නවතම ප්රවෘත්ති

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

උණුසුම් කොටස්