GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDBIGY

KEY Part #: K938088

GD25S512MDBIGY මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [19116pcs තොගය]

  • 1 pcs$2.39712

කොටස් අංකය:
GD25S512MDBIGY
නිෂ්පාදක:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
විස්තරාත්මක සටහන:
NOR FLASH.
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: ඔරලෝසුව / වේලාව - වැඩසටහන්ගත කළ හැකි ටයිමර් සහ ඔස්, දත්ත ලබා ගැනීම - ඩිජිටල් පරිවර්තකයට ඇනලොග් (ADC), අතුරුමුහුණත - ඇනලොග් ස්විච, බහුකාර්ය, ඩිමල්ටිප්ලෙක, විශේෂිත ICs, අතුරුමුහුණත - සං al ා බෆර්, රිපීටර්, ස්ප්ලිටර්, අතුරුමුහුණත - සංවේදකය, ධාරිතා ස්පර්ශය, අතුරුමුහුණත - UARTs (විශ්ව අසමමුහුර්ත ග්‍රාහක සම්ප and තර්කනය - විශ්ව බස් කාර්යයන් ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY electronic components. GD25S512MDBIGY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GD25S512MDBIGY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GD25S512MDBIGY නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : GD25S512MDBIGY
නිෂ්පාදක : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
විස්තර : NOR FLASH
මාලාවක් : -
කොටස තත්වය : Active
මතක වර්ගය : Non-Volatile
මතක ආකෘතිය : FLASH
තාක්ෂණ : FLASH - NOR
මතක ප්‍රමාණය : 512Mb (64M x 8)
ඔරලෝසු සංඛ්‍යාතය : 104MHz
චක්‍රීය වේලාව ලියන්න - වචනය, පිටුව : 50µs, 2.4ms
ප්‍රවේශවීමේ වේලාව : -
මතක අතුරුමුහුණත : SPI - Quad I/O
වෝල්ටීයතාව - සැපයුම : 2.7V ~ 3.6V
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -40°C ~ 85°C (TA)
සවි කරන වර්ගය : Surface Mount
පැකේජය / නඩුව : 24-TBGA
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : 24-TFBGA (6x8)
ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor