නිෂ්පාදක :
Texas Instruments
විස්තර :
MOSFET N-CH 60V 200A
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
60V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
200A (Ta)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
2.4V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
81nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
6620pF @ 30V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
300W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
DDPAK/TO-263-3
පැකේජය / නඩුව :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA