කොටස් අංකය :
SCT2H12NZGC11
නිෂ්පාදක :
Rohm Semiconductor
විස්තර :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
තාක්ෂණ :
SiCFET (Silicon Carbide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
1700V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
3.7A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 900µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
14nC @ 18V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
184pF @ 800V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
35W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
TO-3PFM
පැකේජය / නඩුව :
TO-3PFM, SC-93-3