Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST173S10PFP1

KEY Part #: K6458745

VS-ST173S10PFP1 මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [731pcs තොගය]

  • 1 pcs$63.51274
  • 12 pcs$60.48852

කොටස් අංකය:
VS-ST173S10PFP1
නිෂ්පාදක:
Vishay Semiconductor Diodes Division
විස්තරාත්මක සටහන:
SCR 1000V 275A TO-93. SCRs Thyristors - TO-93 COMP RND-e3
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: තයිරිස්ටර්ස් - SCRs, ඩයෝඩ - සීනර් - අරා, ට්‍රාන්සිස්ටර - බයිපෝලර් (BJT) - RF, ට්‍රාන්සිස්ටර - FETs, MOSFETs - RF, තයිරිස්ටර්ස් - TRIACs, තයිරිස්ටර - SCRs - මොඩියුල, ට්‍රාන්සිස්ටර - IGBTs - තනි and ඩයෝඩ - ආර්එෆ් ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST173S10PFP1 electronic components. VS-ST173S10PFP1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST173S10PFP1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST173S10PFP1 නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : VS-ST173S10PFP1
නිෂ්පාදක : Vishay Semiconductor Diodes Division
විස්තර : SCR 1000V 275A TO-93
මාලාවක් : -
කොටස තත්වය : Active
වෝල්ටීයතාව - අක්‍රීය තත්වය : 1kV
වෝල්ටීයතාව - ගේට් ප්‍රේරකය (Vgt) (උපරිම) : 3V
ධාරාව - ගේට් ප්‍රේරකය (Igt) (උපරිම) : 200mA
වෝල්ටීයතාව - රාජ්යයේ (Vtm) (උපරිම) : 2.07V
වත්මන් - රාජ්යයේ (එය (AV)) (උපරිම) : 175A
වත්මන් - රාජ්‍ය මත (එය (ආර්එම්එස්)) (උපරිම) : 275A
ධාරාව - රඳවා තබා ගන්න (Ih) (උපරිම) : 600mA
වත්මන් - අක්‍රීය තත්වය (උපරිම) : 40mA
ධාරාව - ජනරජ නොවන සර්ජ් 50, 60Hz (එහි) : 3940A, 4120A
SCR වර්ගය : Standard Recovery
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -40°C ~ 125°C
සවි කරන වර්ගය : Chassis, Stud Mount
පැකේජය / නඩුව : TO-209AB, TO-93-4, Stud
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : TO-209AB (TO-93)

ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode