ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5BL-TR

KEY Part #: K938086

විස්තරාත්මක සටහන:: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V

පවුල් කාණ්ඩ:: KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: මතකය - FPGA සඳහා වින්‍යාස කිරීමේ පොරොන්දු, PMIC - බැටරි කළමනාකරණය, ඔරලෝසුව / වේලාව - ප්‍රමාද රේඛා, ඔරලෝසුව / වේලාව - IC බැටරි, PMIC - බලශක්ති මැනීම, අතුරුමුහුණත - හ Rec පටිගත කිරීම සහ නැවත ධාවනය කිරී, මතකය - බැටරි and තර්කනය - FIFOs මතකය ...

තරඟකාරී වාසිය:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BL-TR electronic components. IS43R86400F-5BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

කොටස් අංකය : IS43R86400F-5BL-TR

නිෂ්පාදක : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

විස්තර : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

මාලාවක් : -

කොටස තත්වය : Active

මතක වර්ගය : Volatile

මතක ආකෘතිය : DRAM

තාක්ෂණ : SDRAM - DDR

මතක ප්‍රමාණය : 512Mb (64M x 8)

ඔරලෝසු සංඛ්‍යාතය : 200MHz

චක්‍රීය වේලාව ලියන්න - වචනය, පිටුව : 15ns

ප්‍රවේශවීමේ වේලාව : 700ps

මතක අතුරුමුහුණත : Parallel

වෝල්ටීයතාව - සැපයුම : 2.3V ~ 2.7V

මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : 0°C ~ 70°C (TA)

සවි කරන වර්ගය : Surface Mount

පැකේජය / නඩුව : 60-TFBGA

සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

ඔබත් උනන්දු විය හැකිය

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
S29GL512T11DHIV23

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR
S29GL512S11DHIV23

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor
S34MS01G104BHV013

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.
S34MS01G100BHI900

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

උණුසුම් කොටස්