නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
50V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
1.1A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 580mA, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
11nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
240pF @ 25V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
1W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
පැකේජය / නඩුව :
4-DIP (0.300", 7.62mm)