කොටස් අංකය :
IPD65R650CEATMA1
නිෂ්පාදක :
Infineon Technologies
විස්තර :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
650V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
10.1A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
23nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
440pF @ 100V
FET විශේෂාංගය :
Super Junction
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
86W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-40°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
PG-TO252-3
පැකේජය / නඩුව :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63