Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

KEY Part #: K936827

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [15176pcs තොගය]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,000 pcs$3.01935

කොටස් අංකය:
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
නිෂ්පාදක:
Micron Technology Inc.
විස්තරාත්මක සටහන:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: දත්ත ලබා ගැනීම - ඩිජිටල් පොටෙන්ටෝමීටර, ඔරලෝසුව / වේලාව - යෙදුම් විශේෂිත, අතුරුමුහුණත - I / O පුළුල් කරන්නන්, අතුරුමුහුණත - විශේෂිත, රේඛීය - සංසන්දකයන්, අතුරුමුහුණත - ඇනලොග් ස්විචයන් - විශේෂ අරමුණ, අතුරුමුහුණත - මොඩම - IC සහ මොඩියුල and PMIC - වෝල්ටීයතා යොමුව ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR electronic components. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M16NF-25E AUT:H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
නිෂ්පාදක : Micron Technology Inc.
විස්තර : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
මාලාවක් : -
කොටස තත්වය : Last Time Buy
මතක වර්ගය : Volatile
මතක ආකෘතිය : DRAM
තාක්ෂණ : SDRAM - DDR2
මතක ප්‍රමාණය : 512Mb (32M x 16)
ඔරලෝසු සංඛ්‍යාතය : 400MHz
චක්‍රීය වේලාව ලියන්න - වචනය, පිටුව : 15ns
ප්‍රවේශවීමේ වේලාව : 400ps
මතක අතුරුමුහුණත : Parallel
වෝල්ටීයතාව - සැපයුම : 1.7V ~ 1.9V
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -40°C ~ 125°C (TC)
සවි කරන වර්ගය : Surface Mount
පැකේජය / නඩුව : 84-TFBGA
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : 84-FBGA (8x12.5)

ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16