නිෂ්පාදක :
Microsemi Corporation
විස්තර :
MOSFET N-CH 700V TO247
තාක්ෂණ :
SiCFET (Silicon Carbide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
1700V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
5A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.25 Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
3.2V @ 500µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
21nC @ 20V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
249pF @ 1000V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
65W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
TO-247-3