නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
200V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
11A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
44nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
1200pF @ 25V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
3W (Ta), 125W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
I2PAK
පැකේජය / නඩුව :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA