කොටස් අංකය :
GA100JT12-227
නිෂ්පාදක :
GeneSiC Semiconductor
විස්තර :
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
තාක්ෂණ :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
1200V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
160A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 100A
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
-
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
-
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
14400pF @ 800V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
535W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Chassis Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
SOT-227
පැකේජය / නඩුව :
SOT-227-4, miniBLOC