කොටස් අංකය :
SI7119DN-T1-GE3
නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
200V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
3.8A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
25nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
666pF @ 50V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-50°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
PowerPAK® 1212-8
පැකේජය / නඩුව :
PowerPAK® 1212-8