කොටස් අංකය :
IPB020N10N5ATMA1
නිෂ්පාදක :
Infineon Technologies
විස්තර :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
100V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
120A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
3.8V @ 270µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
210nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
15600pF @ 50V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
375W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 175°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
D²PAK (TO-263AB)
පැකේජය / නඩුව :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB