විස්තර :
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
FET වර්ගය :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET විශේෂාංගය :
GaNFET (Gallium Nitride)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
100V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
2.5V @ 5.5mA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
7nC @ 5V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
800pF @ 50V
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-40°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
Die