Vishay Siliconix - SISS22DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396219

SISS22DN-T1-GE3 මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [118007pcs තොගය]

  • 1 pcs$0.31343

කොටස් අංකය:
SISS22DN-T1-GE3
නිෂ්පාදක:
Vishay Siliconix
විස්තරාත්මක සටහන:
MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S.
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: ඩයෝඩ - පාලම් සෘජුකාරක, ඩයෝඩ - සීනර් - තනි, ට්‍රාන්සිස්ටර - වැඩසටහන්ගත කළ හැකි ඒකාබද්ධ කිරීම, ට්‍රාන්සිස්ටර - බයිපෝලර් (බීජේටී) - අරා, පෙර-පක්ෂග, ට්‍රාන්සිස්ටර - බයිපෝලර් (BJT) - අරා, ට්‍රාන්සිස්ටර - IGBTs - තනි, ඩයෝඩ - සෘජුකාරක - අරා and ඩයෝඩ - සෘජුකාරක - තනි ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in Vishay Siliconix SISS22DN-T1-GE3 electronic components. SISS22DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS22DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS22DN-T1-GE3 නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : SISS22DN-T1-GE3
නිෂ්පාදක : Vishay Siliconix
විස්තර : MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S
මාලාවක් : TrenchFET® Gen IV
කොටස තත්වය : Active
FET වර්ගය : N-Channel
තාක්ෂණ : MOSFET (Metal Oxide)
ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) : 60V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. : 25A (Ta), 90.6A (Tc)
ඩ්‍රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id : 3.6V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (උපරිම) : ±20V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds : 1870pF @ 30V
FET විශේෂාංගය : -
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය : Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : PowerPAK® 1212-8S
පැකේජය / නඩුව : PowerPAK® 1212-8S