නිෂ්පාදක :
ON Semiconductor
විස්තර :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L
වෝල්ටීයතාව - DC ප්රතිලෝම (Vr) (උපරිම) :
600V
වත්මන් - සාමාන්ය නිවැරදි කරන ලද (අයෝ) :
8A
වෝල්ටීයතාව - ඉදිරියට (Vf) (උපරිම) @ නම් :
2.6V @ 8A
වේගය :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ප්රතිලෝම ප්රතිසාධන කාලය (trr) :
30ns
ධාරාව - ප්රතිලෝම කාන්දු වීම @ Vr :
100µA @ 600V
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
TO-220-2L
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය - හන්දිය :
-65°C ~ 150°C