නිෂ්පාදක :
Toshiba Semiconductor and Storage
විස්තර :
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
900V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
9A (Ta)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 900µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
46nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
2000pF @ 25V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
50W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
TO-220SIS
පැකේජය / නඩුව :
TO-220-3 Full Pack