Infineon Technologies - DF1000R17IE4DB2BOSA1

KEY Part #: K6533626

DF1000R17IE4DB2BOSA1 මිලකරණය (ඇ.ඩො.) [151pcs තොගය]

  • 1 pcs$305.88987

කොටස් අංකය:
DF1000R17IE4DB2BOSA1
නිෂ්පාදක:
Infineon Technologies
විස්තරාත්මක සටහන:
IGBT MODULE 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
ගබඩාවේ ඇත
රාක්ක ජීවිතය:
අවුරුද්දක්
සිට චිප්:
හොංකොං
RoHS:
ගෙවීමේ ක්රමය:
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
පවුල් කාණ්ඩ:
KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: ට්‍රාන්සිස්ටර - FETs, MOSFETs - තනි, ඩයෝඩ - ආර්එෆ්, ට්‍රාන්සිස්ටර - වැඩසටහන්ගත කළ හැකි ඒකාබද්ධ කිරීම, ඩයෝඩ - සෘජුකාරක - තනි, තයිරිස්ටර්ස් - SCRs, ට්‍රාන්සිස්ටර - FETs, MOSFETs - අරා, ට්‍රාන්සිස්ටර - JFETs and ඩයෝඩ - සීනර් - තනි ...
තරඟකාරී වාසිය:
We specialize in Infineon Technologies DF1000R17IE4DB2BOSA1 electronic components. DF1000R17IE4DB2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF1000R17IE4DB2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF1000R17IE4DB2BOSA1 නිෂ්පාදන ගුණාංග

කොටස් අංකය : DF1000R17IE4DB2BOSA1
නිෂ්පාදක : Infineon Technologies
විස්තර : IGBT MODULE 1700V 1000A
මාලාවක් : -
කොටස තත්වය : Active
IGBT වර්ගය : -
වින්‍යාසය : Single
වෝල්ටීයතාව - එකතු කරන්නා විමෝචක බිඳවැටීම (උපරිම) : 1700V
වත්මන් - එකතු කරන්නා (Ic) (උපරිම) : -
බලය - උපරිම : 6250W
Vce (on) (උපරිම) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
වත්මන් - එකතු කරන්නා කප්පාදුව (උපරිම) : 5mA
ආදාන ධාරිතාව (Cies) ce Vce : 81nF @ 25V
ආදානය : Standard
NTC තාප විද්‍යා .යා : Yes
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය : -40°C ~ 150°C
සවි කරන වර්ගය : Chassis Mount
පැකේජය / නඩුව : Module
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය : Module

ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.