නිෂ්පාදක :
STMicroelectronics
විස්තර :
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
තාක්ෂණ :
SiCFET (Silicon Carbide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
1200V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
20A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
3.5V @ 1mA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
45nC @ 20V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
650pF @ 400V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
175W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 200°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Through Hole
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
HiP247™