කොටස් අංකය :
SIHB35N60E-GE3
නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
650V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
32A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
4V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
132nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
2760pF @ 100V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
250W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
D²PAK (TO-263)
පැකේජය / නඩුව :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB