කොටස් අංකය :
SIR646DP-T1-GE3
නිෂ්පාදක :
Vishay Siliconix
විස්තර :
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
40V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
60A (Tc)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
2.2V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
51nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
2230pF @ 20V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
5W (Ta), 54W (Tc)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 150°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
PowerPAK® SO-8
පැකේජය / නඩුව :
PowerPAK® SO-8