නිෂ්පාදක :
Diodes Incorporated
විස්තර :
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
තාක්ෂණ :
MOSFET (Metal Oxide)
ප්රභව වෝල්ටීයතාවයට ඇද දමන්න (Vdss) :
30V
ධාරාව - අඛණ්ඩ කාණු (හැඳුනුම්පත) @ 25. C. :
6.2A (Ta)
ඩ්රයිව් වෝල්ටීයතාව (මැක්ස් ආර්ඩීඑස්, අවම ආර්ඩීඑස් ඔන්) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (උපරිම) @ Id :
1.8V @ 250µA
ගේට්ටු ගාස්තු (Qg) (උපරිම) @ Vgs :
18.4nC @ 10V
ආදාන ධාරිතාව (සිස්) (උපරිම) @ Vds :
873pF @ 15V
බලය විසුරුවා හැරීම (උපරිම) :
900mW (Ta)
මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය :
-55°C ~ 155°C (TJ)
සවි කරන වර්ගය :
Surface Mount
සැපයුම්කරු උපාංග පැකේජය :
SOT-23
පැකේජය / නඩුව :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3