ඔබේ ස්ථානය ලැයිස්තුගත කර නොමැති නම්, කරුණාකර පහත සඳහන් දේවලින් එකක් තෝරන්න:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ඔබේ ස්ථානය ලැයිස්තුගත කර නොමැති නම්, කරුණාකර පහත සඳහන් දේවලින් එකක් තෝරන්න:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ගෙදර
  2. නිෂ්පාදන
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYNB

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYNB

KEY Part #: K7359676

[27150pcs තොගය]

    කොටස් අංකය:
    K4B4G0846D-BYNB
    නිෂ්පාදක:
    Samsung Semiconductor
    විස්තරාත්මක සටහන:
    4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ගබඩාවේ ඇත
    රාක්ක ජීවිතය:
    අවුරුද්දක්
    සිට චිප්:
    හොංකොං
    RoHS:
    ගෙවීමේ ක්රමය:
    නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:
    පවුල් කාණ්ඩ:
    KEY Components Co., LTD යනු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක බෙදාහරින්නෙකු වන අතර ඔහු නිෂ්පාදන කාණ්ඩ ඉදිරිපත් කරයි: SLC Nand, GDDR5, LPDDR4, MODULE, LPDDR4X, HBM Flarebolt, GDDR6 and LPDDR5 ...
    තරඟකාරී වාසිය:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYNB electronic components. K4B4G0846D-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846D-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYNB නිෂ්පාදන ගුණාංග

    කොටස් අංකය : K4B4G0846D-BYNB
    නිෂ්පාදක : Samsung Semiconductor
    විස්තර : 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    මාලාවක් : DDR3
    ඝනත්වය : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    වේගය : 2133 Mbps
    වෝල්ටියතාවය : 1.35 V
    තාවකාලික. : 0 ~ 85 °C
    පැකේජය : 78FBGA
    නිෂ්පාදන තත්ත්වය : Mass Production

    නවතම ප්රවෘත්ති

    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    How Will 5G Impact on Memory?
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    ඔබත් උනන්දු විය හැකිය
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    උණුසුම් කොටස්